環(huán)氧樹脂網(wǎng)(www.ytfilter.com)最新報(bào)道[此消息來源于網(wǎng)絡(luò)]。 環(huán)氧樹脂優(yōu)良的物理機(jī)械和電絕緣性能、與各種材料的粘接性能，以及其使用工藝的靈活性是其他熱固性塑料所不具備的。因此它能制成涂料、復(fù)合材料、澆鑄料、膠粘劑、模壓材料和注射成型材料，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。由于環(huán)氧樹脂的絕緣性能高、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度大，和密封性能好等許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，已在高低壓電器、電機(jī)和電子元器件的絕緣，及封裝上得到廣泛應(yīng)用、發(fā)展很快。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.ytfilter.com)專家介紹，這方面應(yīng)用主要表現(xiàn)在以下：電器、電機(jī)絕緣封裝件的澆注，如電磁鐵、接觸器線圈、互感器、干式變壓器等，高低壓電器的整體全密封絕緣封裝件的制造，在電器工業(yè)中得到了快速發(fā)展，從常壓澆注、真空澆注已發(fā)展到自動(dòng)壓力凝膠成型；廣泛用于裝有電子元件和線路的器件的灌封絕緣，已成為電子工業(yè)不可缺少的重要絕緣材料；電子級(jí)環(huán)氧模塑料用于半導(dǎo)體元器件的塑封，近年來發(fā)展極快，由于它的性能優(yōu)越大有取代傳統(tǒng)的金屬、陶瓷，和玻璃封裝的趨勢(shì)；環(huán)氧層壓塑料在電子、電器領(lǐng)域應(yīng)用甚廣，其中環(huán)氧覆銅板發(fā)展尤其迅速，已成為電子工業(yè)的基礎(chǔ)材料之一。此外，環(huán)氧絕緣涂料、絕緣膠粘劑和電膠粘劑也有大量應(yīng)用。中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.ytfilter.com)專家介紹，對(duì)此突出重點(diǎn)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。
在Si3N4/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中，當(dāng)Si3N4含量較低時(shí)大部分顆粒，被低熱導(dǎo)率的環(huán)氧樹脂包裹且相互之間并未接觸，使其高導(dǎo)熱性能得不到充分發(fā)揮，對(duì)復(fù)合材料的熱導(dǎo)率影響較小，復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)增加并不明顯。隨Si3N4含量增加Si3N4顆粒開始相互接觸，復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)有增加的趨勢(shì)，但大部分Si3N4顆粒仍被環(huán)氧樹脂所分離，導(dǎo)熱仍然由連續(xù)的基體起主導(dǎo)作用。據(jù)中國(guó)環(huán)氧樹脂行業(yè)協(xié)會(huì)(www.ytfilter.com)專家介紹，當(dāng)Si3N4含量達(dá)到一定值時(shí)，Si3N4顆粒開始在整個(gè)基體中相互接觸并搭接成導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)，因而導(dǎo)熱系數(shù)迅速提高。隨Si3N4含量進(jìn)一步增大，導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)更加穩(wěn)定，導(dǎo)熱由高導(dǎo)熱的Si3N4導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)起主導(dǎo)作用。
3、Si3N4/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的介電性能
介電常數(shù)是描述電介質(zhì)極化的宏觀參數(shù)。Si3N4/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中基體環(huán)氧樹脂為非極性材料，只能發(fā)生電子極化，弱極性的Si3N4可以發(fā)生電子極化和轉(zhuǎn)向極化。另外對(duì)于復(fù)合材料而言，由于增強(qiáng)體和基體之間界面的存在，界面極化也是一種主要的極化方式。Si3N4/環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的介電常數(shù)如圖5所示。從圖中可以看出介電常數(shù)隨Si3N4含量的增加而增加，但仍能維持在較低水平(<8，1MHz)。當(dāng)Si3N4體積分?jǐn)?shù)達(dá)到30%時(shí)，復(fù)合材料介電常數(shù)大約為基體的2倍，這是因?yàn)镾i3N4的介電常數(shù)要高于基體材料，而且隨Si3N4含量增加，復(fù)合材料中相界面更多，界面極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)增加，也導(dǎo)致了介電常數(shù)的增加。當(dāng)Si3N4體積分?jǐn)?shù)為35%時(shí)，介電常數(shù)出現(xiàn)了下降，這主要是由于成型工藝的差異，導(dǎo)致該樣品內(nèi)部氣孔較其它樣品多，由于空氣的介電常數(shù)較Si3N4，和基體小很多，故該樣品的介電常數(shù)降低。
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